提高加熱爐熱效率的主要措施：

（1）采用{gx}、大能量的燃燒器，提高燃燒質(zhì)量。

（2）監(jiān)控?zé)煔庵械难鹾鸵谎趸己?，降低過(guò)?？諝庀禂?shù)。

（3）增設(shè)空氣預(yù)熱器或余熱鍋爐，回收煙氣余熱。

（4）對(duì)流室采用釘頭管或翅片管，設(shè)置自動(dòng)吹灰器，強(qiáng)化對(duì)流式的傳熱過(guò)程，使之多吸收熱量。

（5）采用低傳熱系數(shù)的耐火絕熱材料，降低爐壁散熱損失。

（6）加強(qiáng)堵漏，減少漏入爐膛的空氣量。

（7）采用計(jì)算機(jī)或數(shù)字控制儀進(jìn)行最.佳燃燒控制。

沉積的均勻性與電極和腔室的設(shè)計(jì)很有關(guān)系。管式PECVD系統(tǒng)由于其石墨舟中間鏤空，因此利用了硅片作為電極的一部分，因此輝光放電的特性就與硅片表面的特性有了一定的關(guān)系，比如硅片表面織構(gòu)化所生成的金子塔{jd0}的狀態(tài)就對(duì)等離子體放電產(chǎn)生影響，而目前硅片的電導(dǎo)率的不同也影響到等離子場(chǎng)的均勻性。另外管式PECVD的氣流是從石英管一端引入，這樣也會(huì)造成工藝氣體分布的不均勻。

　板式PECVD系統(tǒng)使用了襯底板作為電極，而且采用勻氣的Shower系統(tǒng)，但是由于襯底板在長(zhǎng)期加熱后會(huì)有稍微的翹曲，從而造成平行板電極間距的不一致，也會(huì)造成片間不均勻。另外，等離子體直接法在大面積沉積時(shí)會(huì)造成由于高頻波長(zhǎng)所帶來(lái)的附加的不均勻性。

加熱爐為什么要分輻射室和對(duì)流室？

答：1)加熱爐的輻射室有兩個(gè)作用：一是作燃燒室；二是將燃燒器噴出的火焰、高溫?zé)煔饧盃t墻的輻射傳熱通過(guò)爐管傳給介質(zhì)。這種爐子主要是靠輻射室內(nèi)的輻射傳熱，小部分靠對(duì)流室的對(duì)流傳熱，這只占整個(gè)傳熱的10％左右。

2)對(duì)流室的主要作用是：在對(duì)流室內(nèi)的高溫?zé)煔庖詫?duì)流的方式將熱量傳給爐管內(nèi)的介質(zhì)。在對(duì)流室內(nèi)也有很小一部分煙氣及爐墻的輻射傳熱。如果一個(gè)加熱爐只有輻射室而無(wú)對(duì)流室的話，則排煙溫度提高，造成能源浪費(fèi)，操作費(fèi)用增加，經(jīng)濟(jì)效益降低，為此，在設(shè)計(jì)加熱爐時(shí)，通常都要設(shè)置對(duì)流室，以便能充分回收煙氣中的熱量。

方法的優(yōu)缺點(diǎn)比較

　　各種方法都有其有缺點(diǎn)：從大的方面講，直接PECVD法對(duì)樣品表面有損傷，會(huì)增加表面少子的復(fù)合，但是也正是由于其對(duì)表面的轟擊作用，可以去除表面的一些自然氧化層，使得表面的雜質(zhì)原子得到抑制，另外直接法可以使得氫原子或氫離子更深入地進(jìn)入到多晶硅晶界中，使得晶界鈍化更充分。

　　使用不同頻率的PECVD系統(tǒng)，也各有一定的優(yōu)缺點(diǎn)：

　?。?）頻率越高均勻面積越小，越難于達(dá)到大面積均勻性。

　?。?）頻率越低對(duì)硅片表面的損傷越嚴(yán)重。

　?。?）頻率越低離子進(jìn)入硅片越深，越有利于多晶硅晶界的鈍化。

煙道氣中氧含量過(guò)高應(yīng)怎樣處理？

答：煙道氣中氧含量過(guò)高是由于爐體堵漏不好，造成外界空氣進(jìn)入爐膛內(nèi)部，風(fēng)門開(kāi)得過(guò)大以及煙道擋板開(kāi)度偏大，爐膛負(fù)壓值高，使大量空氣進(jìn)入爐內(nèi)造成煙氣中氧含量過(guò)高，過(guò)?？諝庀禂?shù)α增大而造成爐子的熱效率降低。應(yīng)加強(qiáng)爐體的堵漏，及時(shí)調(diào)節(jié)好風(fēng)門、汽門、油門和檔板（俗稱三門一板），控制合理的過(guò)?？諝庀禂?shù)，要控制合理的過(guò)?？諝庀禂?shù)還必須建立定期的煙氣采樣分析制度，對(duì)數(shù)據(jù)要認(rèn)真分析。

化學(xué)氣相沉積(CVD)是半導(dǎo)體工業(yè)中應(yīng)用最為廣泛的用來(lái)沉積多種材料的技術(shù)，bao括大范圍的絕緣材料，大多數(shù)金屬材料和金屬合金材料。從理論上來(lái)說(shuō)，它是很簡(jiǎn)單的：兩種或兩種以上的氣態(tài)原材料導(dǎo)入到一個(gè)反應(yīng)室內(nèi)，然后他們相互之間發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，形成一種新的材料，沉積到晶片表面上。淀積氮化硅膜(Si3N4)就是一個(gè)很好的例子，它是由硅烷和氮反應(yīng)形成的。

雙溫區(qū)管式爐

產(chǎn)品概述：

RK-T1600-L6010LB2雙溫區(qū)高溫真空氣氛管式爐以硅鉬棒為發(fā)熱元件；雙層風(fēng)冷結(jié)構(gòu)；高純氧化鋁纖維真空吸附一次成型；30段可編程智能控制（可外接遠(yuǎn)程控制）； 加熱區(qū)長(zhǎng)度660mm；可通氣氛及抽真空，爐體采用雙層殼體結(jié)構(gòu)，并帶有風(fēng)冷系統(tǒng)，使得殼體表面的溫度小于60度，爐膛保溫材料采用高純氧化鋁多晶纖維，減少熱量的損失，內(nèi)爐膛表面涂有高溫氧化鋁涂層可以提高設(shè)備的加熱效率，同時(shí)也可以延長(zhǎng)儀器的使用壽命。該設(shè)備是科佳電爐自行研制開(kāi)發(fā)的高性能高節(jié)能的新型管式電爐，產(chǎn)品具有先進(jìn)合理的結(jié)構(gòu)，升溫快，操作簡(jiǎn)便，密封性能好，可預(yù)抽真空，真空能保持較長(zhǎng)時(shí)間，也可以保持微正壓。

主要用途：

RK-T1600TL6010LB2雙溫區(qū)高溫氣氛管式爐廣泛用于冶金、機(jī)械、輕工、商檢、高等院校及科研部門，用于電子陶瓷產(chǎn)品的預(yù)燒、燒結(jié)、鍍膜、高溫?zé)峤獾蜏爻练e（CVD）工藝等。

什么是頂燒爐？

答：制氫轉(zhuǎn)化爐是制氫裝置的關(guān)鍵設(shè)備，大多采用頂燒爐，其輻射室為箱式結(jié)構(gòu)，燃燒器布置在爐頂，一排燃燒器，一排爐管順序布置。制氫轉(zhuǎn)化爐的操作條件是最苛刻的，轉(zhuǎn)化管系統(tǒng)都是高鉻鎳合金材料，因此采用單排管雙面輻射型爐，可以避免局部過(guò)熱，使?fàn)t管周向和軸向溫度分布均勻，提高爐管的利用率。實(shí)際上，制氫轉(zhuǎn)化爐是一個(gè)多管并流的外加熱式反應(yīng)器，爐管內(nèi)裝有催化劑，管內(nèi)介質(zhì)一邊吸熱，一邊進(jìn)行著復(fù)雜的化學(xué)反應(yīng)。

為什么管內(nèi)結(jié)焦會(huì)使管壁溫度上升，并使?fàn)t管損壞：管內(nèi)壁結(jié)上一層焦炭以后，增加了一層焦垢熱阻，使管壁溫度升高。其后，氣相和液相介質(zhì)將繼續(xù)滲透到焦層的空隙中去，繼續(xù)結(jié)焦，逐漸形成越來(lái)越厚的堅(jiān)實(shí)的焦層，使管內(nèi)溫度急劇上升。當(dāng)溫度升高到允許值以上，加劇了爐管的腐蝕和高溫氧化，使管壁厚度減薄，引起爐管鼓bao、破裂。同時(shí)使管內(nèi)壓力降升高，爐子操作性能惡化甚至造成裝置停產(chǎn)。