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企業(yè)簡介：武漢恒新國儀科技有限公司提供交其他電工儀表，GYFC-2G防雷元件測試儀， 技術(shù)參數(shù)
技術(shù)指標(biāo) 測量范圍 {zd0}誤差 測試條件 起始動作 電壓（U 1mA） FC-2G （ 0 ～ 100 ）V ±（2V+1d） （1000±5）μA （ 101 ～ 1700 ）V ±（2%RDG+1d） 泄露電流 ( I 0.75U 1mA) （ 0.1 ～ 199.9 ）μA ±（2 μA +1d） 0.75 U1mA 技術(shù)指標(biāo) 測量范圍 {zd0}誤差 測試條件 直流擊穿電壓（ V sdc ） FC-2G (20 ～ 1700)V ±(2%RDG+1d) 電壓上升速率（100±8）V/S FC-2GB (5 ～ 1999)V ±(1%RDG+1d) 放電電壓記憶顯示時(shí)間 （ 1.5 ～ 3.5 ）S
提供交其他電工儀表，GYFC-2G防雷元件測試儀，壓敏電阻測試儀，提供各型號防雷元件測試儀。
參考網(wǎng)址：http:///（武漢恒新國儀科技有限公司）
主營產(chǎn)品： 變壓器測試儀器,互感器測試儀器,密度繼電器校驗(yàn)儀,接地電阻測試儀, 企業(yè)地址：丁字橋
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技術(shù)指標(biāo) 測量范圍 {zd0}誤差 測試條件 起始動作 電壓（U 1mA） FC-2G （ 0 ～ 100 ）V ±（2V+1d） （1000±5）μA （ 101 ～ 1700 ）V ±（2%RDG+1d） 泄露電流 ( I 0.75U 1mA) （ 0.1 ～ 199.9 ）μA ±（2 μA +1d） 0.75 U1mA 技術(shù)指標(biāo) 測量范圍 {zd0}誤差 測試條件 直流擊穿電壓（ V sdc ） FC-2G (20 ～ 1700)V ±(2%RDG+1d) 電壓上升速率（100±8）V/S FC-2GB (5 ～ 1999)V ±(1%RDG+1d) 放電電壓記憶顯示時(shí)間 （ 1.5 ～ 3.5 ）S
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技術(shù)指標(biāo) 測量范圍 {zd0}誤差 測試條件 起始動作 電壓（U 1mA） FC-2G （ 0 ～ 100 ）V ±（2V+1d） （1000±5）μA （ 101 ～ 1700 ）V ±（2%RDG+1d） 泄露電流 ( I 0.75U 1mA) （ 0.1 ～ 199.9 ）μA ±（2 μA +1d） 0.75 U1mA 技術(shù)指標(biāo) 測量范圍 {zd0}誤差 測試條件 直流擊穿電壓（ V sdc ） FC-2G (20 ～ 1700)V ±(2%RDG+1d) 電壓上升速率（100±8）V/S FC-2GB (5 ～ 1999)V ±(1%RDG+1d) 放電電壓記憶顯示時(shí)間 （ 1.5 ～ 3.5 ）S
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技術(shù)指標(biāo) 測量范圍 {zd0}誤差 測試條件 起始動作 電壓（U 1mA） FC-2G （ 0 ～ 100 ）V ±（2V+1d） （1000±5）μA （ 101 ～ 1700 ）V ±（2%RDG+1d） 泄露電流 ( I 0.75U 1mA) （ 0.1 ～ 199.9 ）μA ±（2 μA +1d） 0.75 U1mA 技術(shù)指標(biāo) 測量范圍 {zd0}誤差 測試條件 直流擊穿電壓（ V sdc ） FC-2G (20 ～ 1700)V ±(2%RDG+1d) 電壓上升速率（100±8）V/S FC-2GB (5 ～ 1999)V ±(1%RDG+1d) 放電電壓記憶顯示時(shí)間 （ 1.5 ～ 3.5 ）S
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技術(shù)參數(shù)
技術(shù)指標(biāo) 測量范圍 {zd0}誤差 測試條件 起始動作 電壓（U 1mA） FC-2G （ 0 ～ 100 ）V ±（2V+1d） （1000±5）μA （ 101 ～ 1700 ）V ±（2%RDG+1d） 泄露電流 ( I 0.75U 1mA) （ 0.1 ～ 199.9 ）μA ±（2 μA +1d） 0.75 U1mA 技術(shù)指標(biāo) 測量范圍 {zd0}誤差 測試條件 直流擊穿電壓（ V sdc ） FC-2G (20 ～ 1700)V ±(2%RDG+1d) 電壓上升速率（100±8）V/S FC-2GB (5 ～ 1999)V ±(1%RDG+1d) 放電電壓記憶顯示時(shí)間 （ 1.5 ～ 3.5 ）S
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技術(shù)參數(shù)
技術(shù)指標(biāo) 測量范圍 {zd0}誤差 測試條件 起始動作 電壓（U 1mA） FC-2G （ 0 ～ 100 ）V ±（2V+1d） （1000±5）μA （ 101 ～ 1700 ）V ±（2%RDG+1d） 泄露電流 ( I 0.75U 1mA) （ 0.1 ～ 199.9 ）μA ±（2 μA +1d） 0.75 U1mA 技術(shù)指標(biāo) 測量范圍 {zd0}誤差 測試條件 直流擊穿電壓（ V sdc ） FC-2G (20 ～ 1700)V ±(2%RDG+1d) 電壓上升速率（100±8）V/S FC-2GB (5 ～ 1999)V ±(1%RDG+1d) 放電電壓記憶顯示時(shí)間 （ 1.5 ～ 3.5 ）S
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技術(shù)指標(biāo) 測量范圍 {zd0}誤差 測試條件 起始動作 電壓（U 1mA） FC-2G （ 0 ～ 100 ）V ±（2V+1d） （1000±5）μA （ 101 ～ 1700 ）V ±（2%RDG+1d） 泄露電流 ( I 0.75U 1mA) （ 0.1 ～ 199.9 ）μA ±（2 μA +1d） 0.75 U1mA 技術(shù)指標(biāo) 測量范圍 {zd0}誤差 測試條件 直流擊穿電壓（ V sdc ） FC-2G (20 ～ 1700)V ±(2%RDG+1d) 電壓上升速率（100±8）V/S FC-2GB (5 ～ 1999)V ±(1%RDG+1d) 放電電壓記憶顯示時(shí)間 （ 1.5 ～ 3.5 ）S
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技術(shù)指標(biāo) 測量范圍 {zd0}誤差 測試條件 起始動作 電壓（U 1mA） FC-2G （ 0 ～ 100 ）V ±（2V+1d） （1000±5）μA （ 101 ～ 1700 ）V ±（2%RDG+1d） 泄露電流 ( I 0.75U 1mA) （ 0.1 ～ 199.9 ）μA ±（2 μA +1d） 0.75 U1mA 技術(shù)指標(biāo) 測量范圍 {zd0}誤差 測試條件 直流擊穿電壓（ V sdc ） FC-2G (20 ～ 1700)V ±(2%RDG+1d) 電壓上升速率（100±8）V/S FC-2GB (5 ～ 1999)V ±(1%RDG+1d) 放電電壓記憶顯示時(shí)間 （ 1.5 ～ 3.5 ）S
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技術(shù)指標(biāo) 測量范圍 {zd0}誤差 測試條件 起始動作 電壓（U 1mA） FC-2G （ 0 ～ 100 ）V ±（2V+1d） （1000±5）μA （ 101 ～ 1700 ）V ±（2%RDG+1d） 泄露電流 ( I 0.75U 1mA) （ 0.1 ～ 199.9 ）μA ±（2 μA +1d） 0.75 U1mA 技術(shù)指標(biāo) 測量范圍 {zd0}誤差 測試條件 直流擊穿電壓（ V sdc ） FC-2G (20 ～ 1700)V ±(2%RDG+1d) 電壓上升速率（100±8）V/S FC-2GB (5 ～ 1999)V ±(1%RDG+1d) 放電電壓記憶顯示時(shí)間 （ 1.5 ～ 3.5 ）S
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